[9] 반도체 기초_11

So as I mentioned previously, I'll talk about this time is carrier distribution and semiconductor. So carrier is the most important thing in modern electronic device. Because this carrier, number of carrier which is electron and hole, number of hole, Ctrl to 4 conductivity.

So this conductivity as I mentioned Nq mu. So mobility not changing, charging not changing. This is the most important thing in modern technology, modern electronics. This conductivity is controlled by carrier number. So this carrier distribution is the most important thing in modern devices. So this carrier distribution is decided by two factors.

One is the density of state function. is what? Electron carrier seat place. The density is important. That is make composed of the band structure. This is the related band. The state is composed of the band. Then, for me, the function. That is something, as I told you, like probability function.

The maximum is 1, 0 to the 1, like a percentage. Why? Because too many carriers, like billions, zillions of carriers moving once a second time, like whatever short time. It feels like in humans, too small and too many carrier particles are moving. So we expect the light group to introduce the probability function. So first, I want to talk about the density of state function first.

Next, I want to talk about the formidial function. So first, what is the density of state function? the state so we counted by density why? Because too many states in there you know as a human is it feel like a space it's a centimeter or micrometer a centimeter reasonable scale for the human but now it's atomic scale nanometer scale atomic stone, there is something you can see easily. So this will introduce something

probability function. So I want to say first, what is the state? The band of the energy state, the electron can be occupy the semiconductor. Most electrons interest will be near the bottom of the conduction band, the most whole top of the balance band. We interest only here the conduction band, the balance band between here and here.

We are not interested here, we are not interested far away from here. So only this region, so this region and this region is only interest. We need to know density of quasicry electrons, the whole, that distribution will be energy, more precisely. And device current determined by number of electrons and whole. So this is device current means conductivity. conductivity higher, higher current. So this current decide by, determined by electron and hole.

That's enough energy to summon various energy barrier built into the device. current voltage relation in the device, we have to know this vulnerable electron then hole with energy. So this is quite important. The first is that we must know how available

distributed energy. State is distributed. Why we introduce this state? Because electrons in here, holes in here. That's why state distribution is very important for the carrier calculation. The second factor we have to know is the probability that the state to be given energy is pi. So given energy and then that state is probability function.

Very important. So given energy here is E. Sub means given energy. How many carriers? That decide why density of state function and Fermi-Drag function. First I want to tell you about the density of state function. These times this tells you about the number of carriers, which is electron and hole. So usually the density of state function is some g sub e Well, for me, we are going to F sub E. We expect intuitively the higher energy state less like to be occupied.

So higher energy state is less occupied state. This means something. E conduction band, higher energy is going to be less, lower energy is fully occupied here. So more energy is going to be excited and then carrier is in an empty spot here. So which is less energy, something called carrier sitting to the

lowest possible energy state. Why? Because once excited carrier like this much, but this carrier once excited with somehow enough energy, this energy is seeking for the more stable spot. Stable spot means the lowest state. Not in here. Where? Here. Feed it up to this one, this one, this one first. This is a band gap. No sitting here. So possible from here, most possible sitting here down, sit here, sit here.

Next is moving out. So which is higher risk looks like less occupied. That's true. So next. This is the state with energy. If it is a power of the function, electron occupies in a particular state. G is the state per unit volume and energy E, given as a unit volume, usually cubic centimeter.

It is the electron concentration. So there is carrier concentration given energy and density of state function times the Fermi drug function. So n is the number of electrons per unit fold. Then this is how we describe it. something, integration, energy. The total number of electrons per unit volume we can integrate this way.

So what is the band here? Something we separate here. E band means something E, conduction band, E balance band. So no state here. So this integration band means something up here, then down here, here and here. That's why it's banned here. Okay. It's a separate region here and here. So determine know exactly something G must be, should be known. Right. So G but data valid only near this.

but band extrema because these equations are involved in something density function, density of state with the effective mass. As long as we consider carrier near the band extrema. So extrema means something, this point, this point, right? We turn to the probability function later for the formative function. So F can be determined to all the energy but different from D depending on the one whether

electrons are near or consider the energy. We do crystal. LED within the band or bound to the localized state with impurity. Electron and the whole distribution with energy base. The distribution of the available state to the G e is near the bottom of the conduction band, near the top of the band. balance band we interest.

First we will get up the entire electron base. The Ge density of state in the formidlock function that I suppose is on to energy band diagram. So we can figure out number of electrons, number of holes based on the energy. So first we will get up the energy. based on the electron concentration, the G and Fe. And then hole base, number of carry hole is something, density of state times 1 minus Fe. So this is N base. So total is 1. So FNE

plus FPE is equal to 1. So 100% like a probability function. So based on the n, based on the P is the total of 1. That's why 1 minus FE is something. Density of state times probability function for the whole. So total electron concentration n is zero. which is the contribution by conduction band and the hole concentration, the balance band is P0, so N0 P0. The shaded area for the electron is greater larger than the hole in the N-type.

The because deforming is close to the conduction band and then to deep balance bands. I want to talk about the forming level later. Okay, so forming level there is something electrically, the other word something like reference line. Reference line means something where is it going to be a basis. Okay. So this is forming level is always a carriers up. More concentration here, there is something. So left-hand point all the time is a change. Okay. So I'm going to talk about later forming level.

Then P type material is a whole concentration larger than the electro concentration because the forming level. lose the balance band. So here is a cross C. Okay so N0 number of electron carrier number of a hole carrier. So there is something the answer of state times the formula. The formula for the base of the P something about the

What it is? Here is E conduction band E-V, balance band. So which is the integration from here to the southern network here. So integration this portion, the top, right? Number of electron. This is no carrier for the whole. That's why only electron. That's why any. but the hole exists below the balance band. That's why bottom here to the top of the balance band.

This much area integration. The bottom to the balance band, this is the conduction band to the top. The here to the here integration, here is here to the here. This is the conduction band integration. This is the balance band integration. So band P. So now getting to the density of state. What it is? Definition. Now I want to dealing with some density of state function.

Density of state Ge. how looks like. I wanna just study the derivation. How this equation derived. Okay, density of the state function. So now look it up to the first wave function for the free electron dimension. So now before we talk about the Brindleum zone. What is it? 0 to do 2 pi. And here is -2 pi which is repeatable. So which is here to do here repeatable. So we concentrated only one portion.

So that is we invert to do something 2 pi. Periodic function. 6 pi whatever. So we interest only one. So one circulation. 1 circulation, there is 2π. So periodic function or brillimption we present by wave function, so exponential function. Psi is something, a to the exponential, j kx exponential function. So zero point or r point is same. So 1 here,

Starting here, 1, R is the same position. Okay, the periodic equation based on the K. You know what is the wave number K, right? Something X, Y, Z changes to K value. Why? Because repeatable. Repeatable. So you know what K means? We previously explained what it is I did. So now, so E_k, energy is based on the k, right? So that is something total energy, potential energy is kinetic energy that I explained before.

So k is quantized, right? The spacing, the k spacing solution based on the k, which is something 2 pi over L. something distance here to here. So 2 pi over L. So there are R over 2 pi over 2 times because this side and then this side times 2. Here, right? It depends. Okay. The two state opposite spin. Okay here zero to the L and the exponential potential here uniform space and k.

This is all we've been talking about here. So this is the starting equation. Next, look it up to the density of state gk. The k space depends on the k value, physical density of space. Okay, because one specific dimension like x, y, z. So number of states per unit length. We are interested in number of states per unit length. Something that I mentioned like density of a state, 1 over 2 pi and times 2.

The exponential energy, kinetic energy is something you explained to this one. I got from here what is the k value based on the energy and we can derive the k value here. Right? So dk, dE. We just make to differentiate this term and then this term based on the dE. So we got here. dk, dE. So now, something about the density of state function g e uh i want to keep in mind something density of

state function so we know it by g e but depends on the textbook some is s e some is d this is computer people but it's the same thing okay some of the density of state function s but g e okay so this is the same thing g se whatever so so we changed this term okay g same g based on the e d e which is g k based on the k just change it we just d e d k sorry d k relation okay you just got the driver here

So we just based on the E term, we changed it. What it is? Okay. We got this one. From this equation, Gk over da da da. Okay. So we got G, E, something. We got this equation. Okay. So, Next. So we got electron E0 is constant available state is spirit and energy

according to the Ge. We got derived from the previous equation. This is dance of state function. Okay, what is the variable here? Just energy here. Effective mass and the Planck constant is given. So density of state function, number of state per unit volume per unit energy. Okay, so public relation, E-K diagram, that the effective mass is a constant. Okay, so we can write up the electron near the bottom of conduction band. Here is something right here.

Same thing. Effective by density of state for the density of state effective mass Q to be changeable. So this is something constant here, a changeable case, but only energy is variable. This is what it is for conduction band. This is something referred to the density of state for effective mass for electron. This is with the conduction band, for base on the electron. Next one is for the balance band for the GE.

Okay, I'm going to talk about it later. So kinetic energy. E k is the difference between total energy and potential energy. Of course, simple. Then each equivalent minimum. Effective mass is interaction of the dependent type of average. Longitude transverse direction. We talked about it later before. Longitude transverse direction effective mass is why conduction band effective message is so much complicated.

right then balance span right density of state function so this is the case for electron so next one is what of course something balance span case density of state function for balance band here. The dense surface state function for whole here effectual mass. So energy, Ev minus E.

It's a different thing here. Here is E minus E. Because what? E, conduction band E, balance band. We interest the conduct band here. We interest the balance band here. So this one minus EC is the minimum. So this range, we're integration. We interest. How about the balance band? From here to here. So EV minus E. That's why here EV minus E. something just a little bit different, just all the different.

So the balance band as E is a potentializer for the whole balance band. That is something about the density of state for whole combination of light or heavier. So we talk about the balance when the effective mass is not Longitudinal transformation. Only light or heavier. Simple. Only this direction. This is heavy. This is light. Only curvature difference. But conduction band is so much. Curved shape is complicated.

So this is all about it. So next, density of a state function that for the electronic conduction band and the balance band, there are parties systematically in the figure. In here. Okay, so this figure, this figure 2 is here. This figure 1 is here. Okay, so this is the look it up here.

Effect mass power told over 2 that is here. Based on the E and E way. Okay, this is the changeable, right? This is the variable. So this is plotting up here. So this way and this way. Okay, so GE. Again, here is some SE is something denoted by GE. This is the same as GE. Okay, depends on the textbook. SE is the same as GE. Prada impose something, blah, blah, blah. Energy versus position.

There are no state between electrons to hole and link forbidden band. This is no state. This is nothing in here. The state is only here to do here, here to do here. So electron and then hole. This is nothing in here. And no state means no. holes, no electrons. Okay. Let's see something again. Right.

Gn, same thing. Let's see, I've valid only power relation E-king curve. So I want to just briefly, what is it? Conductivity and effect mass relation. So density of state effective mass presenting 1. Mass is not the averaging effective mass for the different direction of crystal. So effective mass is directional, which is in conduction band something, longitudinal direction or transverse direction, which is T or L.

Okay, so conductive effective mass is presenting another method here. This is how it looks like in electron model. So here the conductivity was a previous I mentioned here. Q and mu which is mobility. This is the number of carriers. But here presented it this way. Something about the N here is N. carrier and then Q and then Q and this is what? Min, free, time and effective mass.

Which means carrier electrons starting up and then bumping first and Atom already. So how long take bumping to bumping make average? So the mean free time. So conductivity and electron hole we can present by here. Sigma and Q^2 average time with mean free time and then effective mass for conduction.

Conductivity, effective mass for electron. Okay, the hole is the same thing. Hole is something. This is N Q^2 times T or M H effective mass. Okay, so that is it. Under Kipit flow. Effect on X-ray reading. What it is. So I just up to here, I'm talking about density of state.

Okay, the density of state, why is important? Carrier is an electron can sit specific only one state number of state. That is something space is limited. Electron cannot stay without state. So the state to more density means probability more carriers exist. So density of state is higher means higher conductivity. That's why I introduced

effective mass-related sum density of state. So density of state is this figure. Nothing but this figure. The density of state function is only no plotting in forbidden value. Okay, no state is there, no density of state. So this is only something available state. You can write it down density of state function. So not linear, something about this. This one, okay.

Based on the energy E variable. Energy variable E here. we can plot it out. Okay, this is variable and then this is the plotting. Okay, so which is based on this one, we can plot it out. This is the electron. This is the conduction. This is the balance span. So this is all about the density of state function.

I introduced the how equation derived it and then how it looks like. I can bend the structure here like this and like this. Parabolic shape. Density of state.

So now I will talk about the Fermi-Drog distribution. This is very much well known equation. This is told you about the probability of occupancy of energy state if that state exists, only matter of the state. is available. We count this is the Fermi-Drag function.

For this equation, this is the equation. So energy-based Fermi-Drag function should be universally People say F. Okay. And this is a matter of temperature and energy level. Okay. So this state is a matter of the energy and temperature. So first time, absolute zero temperature. The Feminine. Feminine is like a particle and sub-particle. The total location is something probability that particle has energy E.

And something ferminion has made up so particle has available energy state below something fermi-draw function, which is called fermi-energy-read 1 particle. So there are constraints. is the full screw principle and then higher temperature, some elevate something level above the forming level. I'm going to tell you more detail. So at low temperature, those energy states below the forming energy, half has something

probability of the essentially one. Those above the Fermi energy must be zero. So above is zero, below something amount of one. Okay, so this is the basic fundamental probability function. Okay. So, the conduction band is in the pace of the semiconductor, consider many available allowed empty energy level.

Then, calculating how many electrons to fill this level does it count to the N number of Contributing conductivity. We consider two factors. One is how many energy levels that reach within range of the energy. In our case something conduction band. And then how likely each level will be populated by The likelihood of the second term is the probability function is called the Fermi-Tirac distribution

function Fe. The probability that the level with the energy E will be filled with the electron. Fermi-Drop function, temperature and energy. Kb is a Boltzmann constant, something this value. Then t is temperature in the degree of a Kelvin. EF, we call it Fermi energy, Fermi level. Determined as something

and as a point where probability occupancy is an electron exactly 50%. So which is what? In the case of the same level, Fermi energy level, that is canceled out zero. So which is 1 plus 1 is 50%. So Fermi energy level, probability of the occupancy of one electron is 50%.

Exist or not, that's 50%. So there is something about the Fermi-Doc function. So we're going to tell you like Fe, right, based on the E. Right so variable Here right he this is a changeable like this is change how it change like this So like the other way like this is it looks like the x-axis

This is y-axis, but we just rotate it and then we just see what it is So always the changing energy, maximum is 1, minimum is 0, that's 50%. The existing form energy, intrinsic energy, if it's the same, is going to be middle of band gap here. Here, just middle of band gap, 50%. Then, this is what? First, magnify this portion, this portion like this.

So what it is? Temperature, more temperature, higher, higher is going to be something may happen like this. temperature is zero Kelvin here is what something we've just plotting like this okay but temperature increase this number this number increase increase then it's gonna be something like this then something like this

The more and more higher temperature is going to be like this way. Okay, which means it's symmetric. Exactly this portion and then this portion is symmetric. Okay, so which means here below was the fully occupied level of the balance band. Ev is moving to the inside. conduction band. Okay, so this is intrinsic Bermuda. Intrinsic means what? NI. NI. N is no doping.

Doping. So which means no doping means exactly center portion. Conduction band balance center point there is a transperson okay okay there is a formula well intrinsic level is the same energy level we just figured out so since that is probability that energy level E1 is it will be filled with the energy one electron so 1 minus the forming energy the probability that energy level empty right empty means a whole which means

something balanced fan so 1 minus f is the probability energy level you want is a whole has a whole okay so this is the whole thing about it okay This is exactly something. Fermi level plus above something looks like the C conduction band. Fermi level minus E means something looks like the E balance.

So this is half C plus half C. The intrinsic case is something N = P. Then band symmetry, which is assumed that there are equal number of the state, equal size of energy band, at the conduction band and the balance band. And then P is implied something there is equal chance of the finding electron. at conduction band edge to find the hole to balance the edge. This is the figure of the

same as here. The following level where there must be middle of the band gap in intrinsic semiconductor. Exactly middle. This lens and this lens is Exactly the same. This label we call intrinsic formula. So this is intrinsic formula. Just conduction band minus EG 1.5 or balance band EI or EF.

This is what? E g. This is E g over 2. Right? So this is it. Look up the extrinsic formula. So extrinsic semiconductor which is doped anti-PTI.

So this is anti-PTI. So same thing here. As you know, the balance band here, the conduction band here, and then the formula is the intrinsic formula is just the center of the between conduction band and the balance band, which is the energy band gap. So energy band gap over 2 is exactly here and here. So this is the same thing, conduction band, balance band, intrinsic, EI means EF, same thing.

Here EI, something is intrinsic case. This is intrinsic case EF, EI is the same, which is intrinsic. This is intrinsic case. Both of them here. But now it's the case for extrinsic. It's adopted. So the N type is donor is around here.

This is the formula move was here. Intensicate moving up this much. How about here? The formula is here. After the drop, P-type is accepted level here. And then this formula moving down. So this is EF in here. conduction band and donor level is EF up here acceptor level and here something like that

so this line is something sudden temperature okay smeared out I told you like a This is 0 Kelvin but this is something for the formula of moving up and down. Like here up or down here. This much up, this much down. So moving up and down somehow. So in here and here. So there is something possibility.

So as you look up here, N type and P type. Definition formula is bigger than E_i. So which is E_i here, E_f is here. So bigger. How about the P type? Formula is here, E_i is here. EF is less than EI. So exactly, conduction band minus formula, 1.5, Fg minus half is here. Something minus E, FeI, something minus is gonna be.

So this much is going to be equal to EI. Take the subject from here. There is exactly conduction band minus this match. So total this match and then subject to this match is going to be this match. Finally. So this is the answer. How about here is the same thing. exactly one and half here this much

one and half is this much this is eg over half over ei, ef something ei and ef in here this much so total from here subject to this is gonna be this is answer this is so this is it E F minus E V this is the answer so perfectly we look that up and check that out

extrinsic fermi level up here. So this is the acceptor level. This is the donor level of fact. n type or p type. We just see to compare each of these. Look it up. So extrinsic formula 1, which is 2.1 is anti-bandon p-die. So anti, so we can say that there are more electrons in conduction band than the holes in

balance band. So implies that probability of finding electron near the conduction band H is a large volume, probability binding, origin, balance in H. So means here E conduction band, E balance band here, this is E FI intrinsic formula. possibility to do more carriers in your upper side then downside okay n times so more carrier so

reference point here is more find more chance more probability binding electrons near the connection then here then here okay so therefore from a level cross-holt That's why formula will not center, so moving up way, something up level closer to the conduction band and the stationary conductor. How about the B type? B type is the other way we think about it. More holes in balance band than electrons in the conduction band.

Okay, so which is the horizontal level here, more chance of the hole than this upper side, the downside is more. So it implies the probability of finding electrons near the conduction band smaller than probability of finding holes in the balance band. So more dominant. That's why P-tie here. P-tie. Therefore, for me, level, not center line, something closer to the down, which is closer to the balance band. Then in, sorry, this is P-tie. Okay. So which is

n-type p-type which is the conduction band is 1-EFB or conduction band is 1-EFB. Same thing. Okay, so this is larger n-type to p-type this is larger. Okay, same as this is So this is something conduction band, something as you compare, something here forming is upper, centralized upper.

But this is less because of P-tie. N is moving upward. P types then moving downward. So looking up the formidroxyl static for electron and a horse band. So E F is the reference energy called the formid energy or formid level. So this is it. So we went through the sub-tendication form the Clover-2 function.

In quantum mechanics, they are usually referencing the energy of the highest occupied quantum state, which is at absolutely zero temperature here. So here, probability function is zero to the one, in the center line half. This is the conduction band, the balance band formula, which is an intrinsic case for 0 Kelvin, something here. Temperature more, T1 is something like that. T2 here, T3 here and here. Higher,

So exactly the other way we just draw it. Something is energy level. Here is the x-axis, but this is y-axis and same thing. We just draw it. So either way is possible. This is the Fermi-Drad function. So Fermi-Drad static the electrons in Horsene band, the Fermi-drug energy of the biggest occupied state. The electrons in metal are still moving around, the fastest ones moving at the velocity of

a corresponding kinetic energy equal to Fermi energy. So only two particles have something same energy. two particles have the same energy. Okay. Which is a forming level that can be arranged by temperature change and electron adding up in subtraction. So electron up or subtraction is a forming level up or down and temperature change also. The state of probability of occupation is 1.5. Electron carrying high,

forming energy always moves to the other level of material. Formular function. The formula will be chosen to the particular energy level. The probability of occupancy of the state At energy, if the state exists, that is 50%. The state energy below the Fermi level is more likely to occupy than empty. Absolute zero temperature, every electron's head is the most possible energy.

The semiconductor means every state. And the balance band is occupied. That's true. So for me, the axillary electron and hole, something is the probability of the occupancy of any state, the balance band is there for unity. And the probability of the occupancy of any state in conduction is zero. Something is zero Kelvin, something may have something full, then empty.

The probability of the efficiency of the state-point leverage is 1.5, but that is a factor of no state. The highest energy, the less light state is being occupied. Similarly, the state near the top of the balance band probably occupied. So probability state being occupied where hole is 1 minus probability being occupied by electron. So electron and hole is total equal to 1.

Okay. The state must be either occupied or not. So we figure out whole for state 1 minus electron. This is something like this. This is formula function for electron. We just figure out this is this one. Just to change one. Here is E minus E F but this equation same as this one is just changing E F minus E same thing so this is

a case electron and whole case. whole is just change the order so now just compare all the things intrinsic So this is intrinsic case, n-type is p-type is an extrinsic case. So let's look at the formula. So I explained many times here, conduction band here, balance band.

exactly the center line we call it up EF. In this case the E, F and E are the same intrinsic case. Then here is something not exactly rectangular something similar to our similar mean which this portion is something KG. So which means something E, V, E, C is it? Not the full empty. Something moving up.

There is a space here. Space is a carrier. So open up to this portion. Something this one, this one is a what? Carrier exists. means conducting. This is for intrinsic case. The next is extrinsic case for anti. So here is what? Here is something.

How many? 1, 2, 3, 4 is a whole. This is a whole. So this is a 2, 3, 4 electron. So moving up intrinsic carrier. So how many carrier in here? 4 plus 4 is total 8. Something like that. Then here, how about here? So n-type here is the subterformular function. Same as here, 0 to the 1 here, 0 to the 1, exactly half line here.

Then n-type is more electron than hole. So reference point moving was EI here right so this much up okay close to the conduction band so which is a thermal this is simulated which is the thermal energy here this is excited how many in like how many carriers here maybe one and two is empty right two whole right then how many electron. One, two, three, four, five. So this is one, two, three, four, five, six, seven. So seven

electron and two holes. So how many total carriers? Nine. Nine carriers. How about the p-type? It is extrinsic, same thing here, convection band here, conduction band here. This is the EF here. EI here. This much moves down. So how many?

holes in here. How many holes here? 1, 2, 3, 4, 5. So here 1, 2, 3, 4, 5, 4, 4, and 2. 2 is it? So maybe 3 here. 1, 2, 3. So electrons up here. So how many? 3 in here. So that is total 3 plus 5 or if 5

3 is 8. Something like that. So this is some thermal energy. This portion is here. Maybe this portion is here.

처음에 우리가 학기 최 몇 개의 K의 수준은 에너지당 전자의 개수가 몇 개냐 이 개수를 어떻게 정하느냐 이 베스트 오브 스페이의 펌이 일합 펑션이라고 해서 이걸로 K의 개수를 정해 일합 펑션이라고 해서 그래서 펌이 일합 펑션이라는 건 이제 황제예요

감사합니다. 今ならこう感じる人は 없어요。 일렉트로닉하고 포토닉하고 비교할 때에서 쓰는 거예요. 또 하나 얘기하면 벤트 속초가 제일 중요한 건데 벤트 속초가 배터리공학과는 말이지만 정기화학에 산화화면을 주거하지만 그것도 저조로가 중요합니다.

그래서 이렇게 디렉트로는 느껴야지만 이게 하이스트, 올빗이라는 건 스테이트랑 똑같은 말이에요. 스테이트랑 똑같은 말이기 때문에 여기서 올빗이라는 건 뭐예요? 이렇게 둥글게 얘기하는 거고 스테이트랑 직선으로 얘기한 거고 그래서 어차피 둥근 거를 그냥 직선으로 핀 것뿐이 아니라 호모루모라고 해서 정교하게 했던 느낌이에요. 똑같아요. 여기서 전자가 있다가 튀어나와서 한번 다시 내려와서

이게 온이고 이게 오크예요. 온이고 오크다. 그리고 선박션 밴드하고 밸런스 밴드는 전기나 정리하기 위해서 다 쓰는 말이에요. 루모라는게 뭔가, roast에요. unoccupied. 이거는 하이스트, occupied.

형은 야 전자들은 마찬가지에요. 이 밸런스인데 최대값이 중요하고 컨너절밴드의 미니엄값이 제일 중요한데 저게 얘기해서 똑같아요. 여기 밸런스 밴드도 얘네들은 그냥 홍보라고 주는 것 같아요. 여기서 제일 높은 것들을 주지 않고 로스트, 언어쿠파이드. 자 여기는 뭐예요? 전자라고 어쿠파이드 돼있어요. 처음에 보면 무지기술 전자가 있다가 키워놓았다고. 경유학도 마찬가지로. 경유학 속에 유지기약에 어쿠파이드 돼있다는 거예요. 하이스트, 어쿠파이드. 여기 어쿠파이드. 여기는 어쿠파이드가 원래 안 돼있다고 그렇게 돼서 언어쿠파이드. 루. 루 뭐라고 해서 언어쿠파이드.

똑같은 개념입니다. 벤길에서 여기서 캐리어가 있다가 올라가는구나, 내려오는구나, 포물을 모아서 캐리어는 똑같아요. 또 한 가지. 단, 그 밑에 외워. 전자를 잃는 걸 뭐라고 해요. 전자를 잃는 걸 상하라고 해요. 전자를 잃는 걸 어떻게 해요? 전자가 여기 있다가 올라가니까 이건 잃죠. 이게 상하라고 해요. 여기서 반대는 뭐예요? 환원이에요.

똑같은 결론이에요. 지금 별개는 전자 따로 돌고 화학 따로 돌고 있는데 밴드역에서는 똑같은 결론이에요. 여기서는 뭐예요? 상호학. 전자 유니터 상호학. 여기는 환원이에요. 그러니까 여기가 리접션. 리접션이라고 해요. 위독성이고 옥시베이션이고 위독성이란 로가 전기판왕이 되고 단

배터리에서 음급이 안쪽으로 왔다 갔다 하는데 산화되는걸 뭐라고 해요? 그냥 에너지 에너지라고 하고 환원되는 건 개서드라고 하고 실체는 이게 다야 그래서 저기는 전기 개념이 있지만 전기 과학적으로도 오른쪽으로 밴딩업을 좀 준비해 나요 모든 분은 포커싱이 여기에요

어미드라파우처 바로 중앙에 지나간 걸로 변경하기 위해서 똑같이 다 변경하기 위해서는 DFT 스터디에서 요거에 당연히 우리도 그 뭐지 그 그 그 정기적으로 성능이 좋으려면 모빌드 튀겨줘야 돼

그러니까 밴딩이 너무 크면 못 올라가면 너무 낮으면 어때요? 온도만 좀 올라가면 어떻게 치워야 돼 그러니까 보자 어떻게 돼 밴딩이 너무 커서 세례를 올릴 수가 없고 너무 작아도 뒷면대로 올라가면 그래서 적당한 밴드겹도 없죠. 그 밴드는 없었거든요. 이게 밴드겹이 죽으면 둘 다 전도도는 좋아요. 그렇게 되어있으면 밴드겹이 없고, 그라핀 같은 거 밴드겹이 없으면 전도도는 좋아요.

전도도는 굉장히 좋은데, 산악을 해라 명령을 내리기 전에 지가 올라갔다. 이건 뭐냐면 안정성이 없다. 그래서 모계연드이다. 그래서 이 밴드겜의 펌이레벨에서 펀더셜 밸런스 밴드는 이 모든 자율계선 학생만, 전기화학이나 이런 거를 배우지만 같은 계열 그래서 당연히 이르니까, 당연히 이르니까, best of state는 다 해당되는 것 같아요.

다 퍼밀이라는 온도에 대해서 확률값을 얘기하기 때문에 전전지과의 세세만 써요. 이 퍼밀티 범죄는, 퍼밀자 범죄는 그래서 전전지과의 세세만 듣고 전입하기는 안타고 공평수는 best of state입니다. 스테이지가 많으면 캐리어를 많이 풀고 있기 때문에 저도 롭게 올렸습니다. 배터리에서는 충전전을 많이 할 수 있어요. 캐리어가 있어야지 사나운 걸 왔다 갔다 하는 캐리어가 있어야지

용량이 커지기 때문에 2.166목 스테이지는 맞습니다. 이렇게 얘기하고 그래서 요거에 대해서 지금 처음에 얘기할 때 s of state가 무슨 일을 키워주니까 어떻게 drive-on으로 설명할 거라고 이제 공정을 간단히 얘기할 거예요. 여기서 보면 l, 테리어에서 포에너지에다가 스테이 펑션하고 펑션하고 다

배려블 값은 에너지다. 그래서 이에는 넘버 오버 일렉턴 포로블를 이렇게 돼 있고 똑같이 이렇게 돼 있어요. 그래서 인테그라이. 그래서 밴드를 언막하면 이렇게 돼 있다. 어디서까지 밴드하면 캐리어 숫자가 나오게 돼 있어요. 그래서 이 잭잭들이 요거 요거를 구하라 그래서 어쩌고 저쪽으로 이티마 이펙트음에서 다 이펙트음에서 배우고

그래서 캐리어 수자는 마르지 된다 그래서 프로봐리티 펑트는 펑트는 그래서 얘기한 게 여기서 엔탈기 팩이 있습니다만 테리오스자는 화에너지에다 엔탈기 팩트는 범차가 없습니다 이게 전자, 컨덕션 랜드 밑쪽의 것입니다 밑에 거 바랍니다. 밑에. 근데, dense of state function 똑같이 가는데, formit function에 1에서 전정으로 전정 1에서 1에서 1-5를 보니까 전자에서 요구를 뵙니까, for it. P라고 되어 있습니다. 그리고 이거 이제, some, 아무것도 안 좋은데 전적이 있네요. 그래서 이렇게 되어 있습니다. 그래서 total concentration and zero라고 되어 있습니다.

시어리에 의한 라즈렌이 작용되어 있고 전자의 개수는 엔세프 세이드로 펌키럭에 컨덕션에서 탑 여기서부터 인테리어를 시작한 거다. 전자의 개수를 얘기하는 거고 꼴의 개수는 여기서부터 뒷받지 내려서 인테리어를 가지고 있습니다. 포장에서는 에너지가 포트, 에너지가 포트, 폴리가드.

그리고 댄스의 스테이트, 이 교체는 어떻게 나왔냐. 댄스의 스테이트 펌크션은 기준으로 무조건 크리스탈이 되요. 블링존이 정확히 일치 되고 반복되는 것만 우리는 카운트 하느라 이런 자체가 모든건 크리스탈 구조다 그래서 내가 한 바퀴 돌아올 때가 크리스탈 구조가 반복되는 구조에요 그러면 이 한바퀴는 2π이라고 해요 2π 개념으로 똑같이 반복된다 2πn 이렇게 개념이 된다 그리고 이 사인웨이브

이렇게 이런 익스퍼네절 법령을 뽑아줍니다. 우리가 볼 게 좋아요. E는 K, K, L, potential energy. 이렇게 된다고 우리는 이 위험과 같은 건 당연히 수십 번이 얘기하고 K, quantile space, K-space. K-space에서 어떤 에너지로 항상 이걸 랜스라고. 그러면 크리스탄 구조이기 때문에 반복 반복이기 때문에 여기가 여기가 반복이 되었다. 유니폼 스페이스 K에서 K를 두 파일을 나누고 두 파일을 나누고 한 바퀴 정도 L을 나누고

그래서 아랫을 두 파일 스페이스가 K이 대리에 몇 개가 있는지. 그래서 제로프에 있는 것. 이렇게 문제를 셋업을 할 수가 있어요. 그 다음에 k-space. s-of-k에 의해서 k-pinter-manster라고 얘기하면 manster 명이 스티트가 아니라 그래서 r-of-r2 파일을 두 번 돌려서 그래서 GS는 이렇게 얘기할 수 있다. 아까 얘기한 것은 에너지는 이렇게 얘기할 수 있고.

그래서 K값은 바로 이렇게 넘겨서 이렇게 하면 이제 스키어로도 도와집니다. 그래서 여기서 디퍼런시에서 하는 거예요. D에 대해서 이렇게 해서 우리는 D, K에 대해서 하는 겁니다. K는 D, K는 이렇게 해서 S, S는 G와 똑같아요. 어떤 측에는 S가 어떻게 된다. D, S와 같은 말인데

이렇게 되어 있어요. 여기서 인테리어이션을 해서 D, E를 에너지에 대해서 인테리어이션을 하면 바로 K값을 변한 것과 이 값을 바로 인테레이션으로 이렇게 됩니다. 그래서 우리는 SOS function for energy는 이렇게 나타날 수가 있다. 그래서 바로 DE에 대해서 인테레이션을 하면 바로

지식이 나온다. 그래서 우리는 센터 스티트 범죄는 이렇게 얘기할 수가 있다. 그래서 나온 값이 바로 이건데, 이게 분모에 있으니까 스피어로도 2분의 1이 많이 나시겠죠. 그래서 이것과 합쳐가지고 넣으면 바로 이렇게 됩니다. 그리고 이렇게 하면은 2분의 3의 제거 요거를 그대로 다시 수행하는 2분의 3의 제거

그래서 유식이 바로 그렇게 나와요 너무 간단합니다 그래서 크리스탈 구조에서 어떤 구조에서 이펙트 펭셜하고 인텍그레이션을 하면 이에 대해서 바로 그렇게 나와요 그 댄스의 스테이터 옥션이 이렇게 됐고 당연히 스케어를 등에 주면 파라보링스 펑션이다. 이 뒤에 대답이 됩니다. 그래서 일렉트로니의 바른 여기에는 덴스드 컨덕션 멘트에서 이렇게 그래서 컨덕션 멘트 시스템 그래서 여기서 보면

메스에서 일렉트로니스에서 DSC가 덴스드 스테이 펑션 포 일렉트로니 덴스드 스테이 펑션 일렉트로니 이 에펙트리면서가 이렇게 된다 그래서 우리는 컨백션 밴드의 전자의 Dance of State는 바로 이렇게 구성이 된다. 여기가 가장 중요한 것은 역시 Dance of State도 Effective Mass에 좌우된다. 그래서 변함수는 요가 오르고 좋군요. 그러니까 Effective Mass가 Band Shock에서도 중요하고 Dance of State 컴퓨터로도 Variable to work.

다른 기자들보다도 이렇게 된다. 보면 이펙트 메시지가 그렇게 중요하다. 전자의 무게가, 내 중의 홀의 무게가, 무게가 모든 전자 파퍼리티, 전기과 파퍼리티의 자원. 그래서 이펙트 메시지가 그렇게 중요하다. 그래서 이펙트 메시지가 그렇게 중요하다. 그래서 이펙트멘스 변경되어 있겠지만 농기지률을 예정하고 태양스포츠에 대한 이펙트멘스를 서로 나눌 수 있다 무엇을 위해서? 펀덕션 밸드에서

펀덕션 밸드에서 이펙트멘이의 공격하는 것인가? 바로 여기입니다 반대로 홀에 대해서는 어떻게 해야 되냐? 아까 이 계절을 표현한 게 D, S, H과 이게 이 말이에요 홀에 대해서 D, H, H에서 여기는 에너지 레벨이 어떻게 되나? -바란스밴드에서 -한급, 아가곤, 반대전이니까, 1개월에 이게 하고, 한국, 2개월에 있는 거고, 그래서, -바란스비, 포테이셜, 액류, 세, 이렇게,

핸드폰과 핸드폰과 핸드폰과 핸드폰이 있습니다. 요거하고 요거를 그린게 바로 그렇다 그래서 스퀘어로트에서 이게 뭐에요? X축은 에너지에요. EC하고 EV이고 Y축은 에너지에요 그래서 요거는 바로 요거의 스퀘어로트입니다

그래서 상상수형면축의 앞에 식은 요걸 얘기하고 요거는 바로 요걸 얘기해요 그래서 요직이 SF 스테이펑션 에너지 플러스 그리고 S포인 포리즈의 에너지 벤에다이크 이 컬트가 바로 density of state function입니다. density of state function을 정리를 해서 한 곳인데 여기서도 여기엔 state가 없으니까 당연히 여기 대리기 때문에 state line 지나가다. 이 목표로 하고 이렇게 해드라. density of state function은 conduction band하고

balance band에만 있다. 당연히 state에 있는 데만 있다. 이렇게 해 주십시다. 다른 얘기인데, 컨덕트인 T는 바로 너머 캐리어에 차주큐어 있고 T가 유니클 타입으로부터 지나가는 것이죠. 그 다음에 매스 번호한테 가려야 되겠다고 컨덕트인 T는 이펙트 매스에 들어가 있다. 엔소프스에서도 이펙트 매스가 당연히 들어간다.

그래서 굉장히 희쁘라게 백플레스가 스테이트의 덴스티를 좌우하나 이렇게 봐야 되는 것 같아요 그 다음에 포함이 이라 이게 유명한 위케이션인데 포함이 이라 통찰에서 비교에 부분을 해서 온도. 당연히 이 확률 부퍼는 온도에 따라 좌우된다. 이거야.

일단 수능은 하나에요. 온도. 파라의 전이. 온도에 대해서 좌우된다. 그래서 Occupy가 되는게 온도에 대해서 좌우된다. 그게 다에요. 그래서 전자적으로 많이 쓰이죠. 전기화학에서는 그렇게 예민하지는 않아요. 전기화학에서는 공조에 대해서 그렇게 예민하지는 않아요. 그래서 그 식을 바로 그렇게 나타낸 것이고

그 다음에 만약에 뭐예요? 여기서 이 에너지가 뻥이 뻥지 아니라 같을 때는 제로가 되니까 이 에너지가 정비가 많을지 않습니다. 그런 뜻이 그 다음 옆에 나오는데 여기서 여기서 0%, 1%, 100% 반이 없죠. 이 중간을 지나가는 지점에 존재할 확률이 얼마인가? 그래서 여기서 보면 원래 커버가 이렇게 왔다, 이렇게 내려가요.

아 이렇게 왔다 이렇게 왔다 이렇게는 근데 그만큼 공간이 생기고 이만큼 공간이 생기고 그러니까 이 뜻은 뭐냐 여기에 어떤 캐리어가 있음을 여기에 캐리어가 있음을 방리를 있다는 거예요 여기서 보면 컷업 시험가 안 되니까 어차피 여기는 캐리어가 안 돼 여기 아니면 여기 있는데 여기서 그만큼 늘어졌어요 너무 많고 이만큼 캐리어가 생김성비를 늘어났다

너무 아 또 인트리식 인트리식일 때 안 돼 요만큼 점점 영화가 볼 수 있습니다. 같은 대수가 똑같이 생기고. 왜? 대치기 있죠. 대치기. 그래서 이거 이거 만큼의 스케이어가 여기에서 살짝 끌어놨는데. 이 부분이 생겼다. 이 부분은 아까. 그러니까. 그런 부분을 꼬리기. 이 수가 생겼다. 원래는 없어야 되는데. 왜? 컬가 아까 온도 컵션에서 이 제로면 아까 이메일이 이렇게 돼서 다 중앙을 지나가야 되는데

이 온도가 제로지어서 이렇게 늘어져서 공감이 생긴 것 같아요. 이 칼을 넣는 스파을 넣어서 이렇게까지 온도를 결제해 놓고 이메일이 되기 때문에 아까 0을 넣었을 때 이렇게 0이 되는지 바로 이렇게 이렇게 해서 이렇게 더 미래가 되겠습니다. 정확히 얘기하면 이 녀석은 딜렉션은 5고래 4라 3라인 1이 있고 중앙대제 반 중앙지원으로 지나가고 인텔리지인 컨섭션에서 반을 뺀거고 바늘을 더하고 중앙지원으로 나아가게 됐습니다.

이렇게 했죠. 그런데 제가 했는건 이게 N타입 P타입인데 아까는 이게 정중앙원이지 않았어요. 여기 중앙값이 올라가니까 2만큼은 올라가니까 여기는 여기 정중앙원인데 이런 만큼이 내려왔어요. 도핑을 하면 이 펌이다 펌션이 올라와는 것입니다. 기준점이 올라가요. 그러니까 도핑하면 여기 중앙가프다 펌이다 펌이다를 하면 컨덕션에서 이 지점에 캐슬로가 있다 그러면

여기서 패러가 많아요. 도퍼들이 많겠죠. 기준점이 여기가 아니라 이 만큼 올라가요. 그래서 펌이다 펌션은 도핑할 때마다 올라와는 것입니다. 그러니까 N쪽으로 많이 가고 밑쪽으로 올라가고 피쪽으로 꼴을 많이 그리기하는 데에 기준점은 N-type하고 P-type과 N-type으로 얘기하는 이 기준을 했다가 이렇게 움직입니다. 그래서 정중압법에서 물가능이 되어 있다는 것입니다.

N타입 체크가 더 좋고 P타입 체크가 더 좋고 캐리어가 전자나 보인과에 따라서 이렇게 하십니다. N타입, 이게 훨씬 1만원의 포인트라 크다. 당연하죠. P타입은 당연히 이게 훨씬 크죠. 우리는 인텍이기도 중앙감대에서 여기 밑쪽에 있으면 N타입 아래쪽에 있으면 피탈이 있습니다. 펌이 레벨이 이렇게 올라오면 되는가?

제가 여기서 보면 올거에 대해서 얘기한 거예요. 이 그림이랑 똑같은 게 90도 특허뿐이에요. 여기서는 이게 에너지이고, 여기서는 이게 에너지이고 이게 0도 1까지이고, 이것도 0도 1. 똑같은 그림인데, 대충 여러분, 매도온 T0가 바로 꺾이죠. 그래서 이 A1A가 전혀 없죠. 캐리어가 0라. 캐리어가 0라는 것은 T0라는 것은 absolute temperature.

극저온일 때는 캐리어가 없다. 온도는 1, 2, 3. 그래서 온도를 계속 올리면 이 영역이 넓어진다. 왜? 떨뭇머렬 때는 캐리어가 익사일 때가 컨덕션으로 올라갔을 때는 이마 한큼의 캐리어가 전자가 생기고 이마 한큼의 홀이 생기고 이마 한큼의 전자가 생기는 만큼 홀이 생기고 온도를 올리면 올수록 T3가 영역이 제일 걸려져요 이마 한큼의 홀에 올리면

범차 범차는 영역이 커버가 더 크게 이렇게 해줍니다. 뽕에서 터로를 정신하고 그리고 온도, 티에 따라서 뜰해주면 뽕이 다 없어야 하고 얘기하는데 정기화학에서는 안 왔어요. 정기, 에렉트럼리기에서만 죽었습니다. 그래서 여기가 공짜, 이퀘이션과 똑같아요.

이것을 보다는 것은 다시 이렇게 됩니다. 이것과 이것의 차이는 바로 이렇게 나옵니다. 그래서 볼은 범위를 발품하고 전자가 범위에서 뺀 수 있는 것입니다. 이 세 가지를 구분한 것인데, 인트리식은 순선바도적이기 때문에 펌이트력이 중앙을 바로 지나가고 있죠. 펌이트력은 중앙을 바로 지나가고,

인트리식이 있다. 그런데 여기가 직관계에 늘어져 있으니까, 아, 이건 온도가 좀 올렸구나, 펌거래를 했다. 그리고 엔탈, 브로핑한거에요. 엔탈이 위로 올라가죠. 빨리에 있는거죠. 여기 있던게 여기 있던게 이만큼 올라가고 이렇게 되어있다. 그래서 되어있고 그 다음에 여기서는 반대로 피타입니까 중앙에 있는거가 내려오죠.

여기 있었던게 여기 여기가 있습니다. 그래서 탈점은 여기서는 이 에어리와 이 에어리와 같은 인텔이식이 엔탈일 때 여기가 커요 그리고 내려온 피탈일 때 여기가 없어요 여기 밖에는 됐어요 그래서 여기서 보면 피탈이니까 여기는 테리어가 있는데

여기는 쭉 올라오면 없어요 펌이 지압 펑션이 오르락 내리락하면서 캐리어수가 있다. 캐리어수가 중앙원인할 때 같다. 여기하고 여기하고 대칭이 되어서 같고 여기는 넓고 없어서 비대칭. 여기도 넓고 없어서 비대칭. 여기 보면 엘타이를 전혀 코스 맞고 여기 골 넣고 여기 골이 코스 맞고 전혀 없어져. 그래서 펌이 지압 펌션이 함께 바로

개수를 결정하는데 큰 양보다 온도에 있어서 그렇고 도핑을 하면서 우리가 오브라운을 결합하면서 뭘로 결정할까? 바로 앞으로 들어가면 전자의 개수를 이것과 이것인데 이것은 높은 온도에 맞다. 앤스 스테이트는 내추럴이 스테이트가 많은 별 태생적으로 별정합니다.

그 차이가 있습니다. 전자의 개수를 별정한 것, 캐미어 개수를 별정한 것, 산화화는 에너지 전달 전자나 포로 이동하는건 에너지 전달이에요 전자들도 그렇고 근데 배뜻에서는 이온이 또 안되요 전자 플러스 이온이 나갔다는건 복잡이에요 그리고 온도개념이 거기에 있는 복잡이에요 컨덕기위 요거하고 요거

요게 결정적으로 공분을 결정합니다 캐니어수션 그러니까 컨덕기위 감사합니다. 간단한 게 해놨고 그 다음 슬라이드는 가까운 내용은 제가 그 다음에 다시 올릴게요. 그 다음 슬라이드는 뭐냐 하면

아까 얘기한게, 댄스업스테인 펑션이 있고 이렇게 되어 있는데 이 펌이다 펑션을 이렇게 그린거에요. 그래서 이거는 댄스업스테인 G, E4, 펌이다이 아니라 E4 근데 이거는 전자, 저희가 전자 밑에 g하고 h, f에다가 f에다가 h, g, e, go

이것을 곱해야죠. 이것을 2배 곱하고 2배 곱해서 이 곱하면 어떤 형태를 뜨겠죠. 그 다음 색에 볼 게 있어요. 그리고 이건 동영상이 나오니까 내가 모르게 되죠. 그래서 전체적으로 그 부분을 보면은 아 얘가 캐미어가 얼마만일까 그런 상태를 알 수가 있어요.

잠깐만 얘기할게요. 이게 전자에 대한 시 꼴에 대한 시기 이거다 이게 전자에 대한 시기 일반적인 시기 이렇게 되는 건데 바로 이거예요 이게 대척 이 부분 4. 야구는 스테이터 공간을 하고 있는 면은 스테이터 3.5. 요거 팍 요거는 뭐냐 아 그리고 요거 팍이 2.3.5. 요거는 바로 로그입니다.

여기서 보면 요것도 대칭 요거 또 대칭이 돼 요거는 거 같고 에어리아가 포레게스, 전자의 게스입니다. 두 개의 선을 곱하면 됩니다. 여기서 얘기하는 게 요선하고 요선이 요선하고 요선을 곱하면 이렇게 됩니다.

캐리어 개수가 저런 형태로 뛴다 반대로 반대로 아니라 N타입 N타입이면 얘는 안 움직여 랜서프스텐드 이렇게 있고 얘가 여기서 뛰어 근데 얘가 워핑을 하니까 엔 도핑을 하니까 위로 올라가요 여기 이 만큼 올라가세요 또 요고 곱하기 요게 바로 요고 요고 곱하기 요게 요게 그러면 에어리아가 여기 2만큼이고 여기는

크고 여기는 크고 당연히 이게 넓고 이게 작으니까 같은 걸 보게도 여기는 크고 여기는 크고 캐리어가 전자고 훨씬 많고 꼬이 조금 많겠죠. 이 식은 두 개를 볶아 놓고 이렇게. 나중에 한 번 더 얘기했지만 이게 낸성 식을 펌키는 거고 이게 펌이 남고 있어요. 두 개를 뽑혀서 인테그라를 여기서 여기까지 내킨 이 곡선은 바로 이 식이어서 나옵니다. 차례 숫자나 많고

- 고구마. - 고구마. - 고구마. 그 다음은 어떻게 해야 할지 안 돼요. 원래 이 선이 여기 있었겠죠. 여기 있었는데 이렇게 피를 내려갔어요. 여기가 내려가니까 여기는 커지고 여기는 좁아졌네. 이거 복합이 이거 없게 되고 이거 복합이 이거는 커져요. 일단 꼬레 숫자가 혹시 전대 숫자가 많으니까 피탈이 되었고

그 다음에 이것도 포레게스, 제이큐서는 이렇게 되었고 포바라 펌피언은 포로르트 펌피언은 이렇게 되었고 이것은 왜 그러냐, 이것과 거의 수치가 같다 이것은 너무 복잡하기 때문에 이것을 이렇게 해서 그래서 요거에다가 요거에 곱하면 이제 N석시의 컴퓨터에 요거 곱하면

요 이퀴즈는 X에 베를를 잡고 레탈베를를 딱 치면 요거에 이렇게 N타입하고 B타입이 이렇게 진행될게요. 오늘 나머지 한 번 또 올릴게요 자 그리고 내가 오늘 하나 올렸는데요 프로젝트 한 번 올려놨는데요 끝

2주 뒤에 하면 되는데 여기서는 1D, Z, 2D, 여러분 실업실에서 많이 하는 어떤 머치리알에 대해서 이게 투능되는 것을 한번 공부해봐라니까요 여러분이 연구하는 거에 대해서 근데 이걸 써도 돼요 요즘에 실업실에서 많이 하는 게 2D 머치리알 여러 가지 다 있는데 새로 나라만 재료를 얻어

벤직업이 변했다, 투능됐다 그걸 해보면 그게 왜 좋냐, 연구에 저 궁금한지 알겠습니다. 어쨌든 맨데기의 트닝을 어떤 연구에 대해서 고민해봐야겠죠. 일렉트로닉은 꽃전이기다. 맨데기의 트닝. 맨데기의 트닝을 걷다 주력해서 일렉트로닉이 아니고 꽃전이기까지 어떤 목적으로 해서 했냐. 맨데기의 트닝하는 것. 또 한 가지면 DOS를 해서 댄스업스에 오늘 얘기한 것들을 아나운서시지 하자.

나는 DFT 스타리라고 해서 여러분 하는 사람 있을까요. 그래서 배터리 오면 항상 DFT. 요즘에는 로블드스는 실험하고 나서는 이런 치료 안내가 안되요. 이 DOS하고 DH하고 연관되어서 공부를 해봐라. 이걸 찾아보면 분명히 언급이 있는 게 있어요. 왜? DOS를 넓히니까 성능을 개념하면서 어쩌고 저쩌고 하고 광자가 많이 나오면 광센서에도 좋고

그래서 DOS하고 DFT는 서로 연구하는 게 있어요 이런 거 여러분 찾을 수도 있고 아니면 아까 얘기한 벤스 속저가 좁아지고 커짐에 따라서 상당하는 방향이 또 틀어요 위의 인류레이션 리독스 유치대신하고 리덕션을 리덕션이라고 해서 이것이랑 상관관계란 건 여러분이 용물의 사유로 공부해봐라 공부해봐라 그 다음 인작결편 스테이리스라는게

아까 제가 공부한 곳에 이게 너무 각도도 안되고 멀어도 안되고 적당한 안정성도 있고 쉽게 충만져도 돼요 고런거라던지 그래서 한 5개 4개는 언급되는 이 중에서 하나 골라서 이걸 넣어도 돼서 안정도 돼 그래서 뭐 CNT, 라켓, 커브나 모호프, 맥센 이거하고 양반져도 여러분 공부해봐서 밴드겟 스트록 처리 중요하고 어쩔 수 있는지 실제 연구에서는 어떻게 할 수 있는지 공부해봐서 밴드겟에 대해서 한번 찾아와라.

2주인가, 날짜 정해진 2주지에 똑같이 만들어서 제출해라. 그러면 첫다가 이거 발표합시다. 여러분 발표하시고 있으니까 그 뭐냐